广西科学  2017, Vol. 24 Issue (4): 361-365   PDF    
Sn-Sb-Te三元合金相图200℃等温截面
徐飞飞, 张凡, 袁驰文, 王戎丞, 陈红梅, 欧阳义芳, 陶小马     
广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁 530004
摘要: 【目的】 获得在SnTe基热电材料中掺杂Sb后的相关系。【方法】 采用X-ray Diffraction Analysis (XRD)、Scanning Electron Microscope (SEM)及Energy-Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS)对合金样品进行测试,绘制Sn-Sb-Te三元系图200℃等温截面并进行相关系分析。【结果】 Sn-Sb-Te三元体系200℃等温截面由3个单相区、5个两相区和5个三相区组成。其中,5个三相区分别是Sb2Te3+Te+SnSb2Te4、SbTe+SnSb2Te4+Sb2Te3、SnTe+δ-Sb2Te+Sb、SnTe+SnSb+Sb和SnTe+SnSb+Sn。200℃时,Sb元素在SnTe相中的固溶度为3.57 at.%;此外,在200℃下Sn-Sb-Te三元系中出现文献报道的SnSb2Te4三元相。【结论】 通过合金法测定了Sn-Sb-Te三元合金相图在200℃的相平衡关系,为进一步开发SbTe基热电材料提供有益参考。
关键词: Sn-Sb-Te     合金相图     等温截面    
Isothermal Section of Sn-Sb-Te Ternary System at 200℃
XU Feifei , ZHANG Fan , YUAN Chiwen , WANG Rongcheng , CHEN Hongmei , OUYANG Yifang , TAO Xiaoma     
School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Nanning, Guangxi, 530004, China
Abstract: 【Objective】 In order to obtain the correlation after doping Sb in the thermoelectric conversion materials of the matrix SnTe. 【Methods】 The isothermal section of the Sn-Sb-Te ternary system at 200℃ was determined and analysized. The alloy samples were investigated by X-ray diffraction analysis (XRD), scanning electron microscope (SEM) and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS) techniques. 【Results】 The results show that the isothermal section of the Sn-Sb-Te system at 200℃ is composed of three single phase regions, five two phase regions and five three phase regions. Where, the five three phase regions are Sb2Te3+Te+SnSb2Te4, SbTe+SnSb2Te4+Sb2Te3, SnTe+δ-Sb2Te+Sb, SnTe+SnSb+Sb, SnTe+SnSb+Sn, respectively.The solubility of Sb in SnTe phase is 3.57 at.% at 200℃. Moreover, the SnSb2Te4 ternary compound reported in the literature appeared in Sn-Sb-Te ternary system at 200℃. 【Conclusion】 The isothermal section of Sn-Sb-Te has been determined at 200℃ by using alloy melting method, which can provide a useful reference for further development of the SbTe-based thermoelectric materials.
Key words: Sn-Sb-Te     alloy phase diagram     isothermal section    
0 引言

研究意义】 SnX是典型的窄带隙半导体材料,研究发现在半导体材料SnTe、SnSe和SnS中存在着拓扑绝缘态[1-4]。此外,SnX材料还具有良好的热电性能[5-7]。SnTe是SnX半导体材料中的一员,广泛应用于制作热电材料、太阳能电池材料、相变记忆存储材料以及红外探测器材料等[8-11]。【前人研究进展】早在1966年,Esaki等[12]在通过隧道光谱学研究SnTe的能带结构过程中,观察到掺杂的Al-Al2O3-SnTe体系的隧道结具有反电阻的特性,另外,从目前掌握的隧道结特性上看,这是第一次在SnTe中观察到的“热”能隙。1998年,Nan等[13]通过对SnTe热电材料进行Sb元素的外加掺杂,观察到材料的载流子浓度发生了改变,起到优化材料从而提高材料性能的作用。【本研究切入点】目前还没有关于Sn-Sb-Te三元系中低温条件下合金相图的相关报道,因此对中低温条件下Sn-Sb-Te三元系合金的微观组织、转变规律和形成相的研究,对SnTe基热电材料的开发与实现实际应用具有重要意义。【拟解决的关键问题】本研究拟利用合金熔炼法制备合金样品,利用X-ray Diffraction Analysis (XRD)、Scanning Electron Microscope (SEM)及Energy-Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS)对退火后的样品进行检测分析,绘制三元体系等温截面。

1 材料与方法 1.1 原料

Te块:99.999 wt.%,Sb块:99.99 wt.%,Sn块:99.95 wt.%。

1.2 方法

首先,采用电子天平进行称量,将Sn、Sb和Te按不同比例称量后装入石英管中并编号,每个样品总量均为2.000 g,另外加入2 wt.% Te作为耗损量。对样品充氩气、抽真空处理及真空封管,然后将样品放入箱式电阻炉中进行高温熔融和均匀化退火。样品退火温度选择在液相线下200℃左右。本实验将样品放入电阻炉中在900℃温度下保温180 min,然后以3℃/min的速率梯度降温到200℃保温7 d,用水作为淬火介质对合金样品进行淬火。淬火后,将合金样品从石英管中取出,分作两部分:一部分进行镶嵌,制成厚度合适的圆柱状块体,依次经过粗磨、细磨、抛光处理,用作SEM形貌测试;一部分块体使用玛瑙研钵研磨成粉末进行XRD测试。采用Zeiss EVO18扫描电镜(SEM)分析合金样品的相组成和组织形貌;采用布鲁克能谱仪(EDS)检测合金样品的物相成分;采用TD-350X型XRD衍射仪对合金样品进行X射线衍射扫描,实验参数:X射线源为Cu Kα,管电压为36 kV,管电流为25 mA,扫描速度为2°/min,扫描角度为15°~90°。

2 结果与分析 2.1 不同配比下合金样品的相成分分析

对1#(Sn34Sb8Te58)、2#(Sn12Sb11Te77)、3#(Sn27Sb22Te51)、6#(Sn24Sb41Te35)和11#(Sn19Sb66Te15)样品分别进行XRD和SEM检测,结果如图 1所示。图 1a表征了1#合金由Te和SnTe两相组成。由图 1b可以看出组成1#合金的两相交替出现,结合图像及能谱分析可得,合金中SnTe相成分为Sn46.15Sb2.21Te51.64,在图中显示为深灰色基体相;Te相成分为Sn2.76Sb1.69Te95.55,在图 1b中显示为灰色条状相。

图 1 不同配比下合金样品的XRD(左)及SEM图(右) Fig.1 XRD pattern (left) and BSE image (right) of different samples

2#合金由Sb2Te3、Te和SnSb2Te4三相组成。由图 1c能谱分析可知,灰白色相为基体Te相,其相成分比为Sn:Sb:Te=0.69:1.47:97.83;浅灰色相为Sb2Te3相,成分比为Sn:Sb:Te=4.43:38.41:57.31。灰色相成分比为Sn:Sb:Te=14.92:29.11:55.97,根据已有的实验研究结果[14-16]确定灰色相为SnSb2Te4相。从图 1d的SEM图像观察到这三相明暗程度相近,这是由于Sn、Sb、Te这3元素在元素周期表中分别处于Ⅳ族、Ⅴ族、Ⅵ族连续相邻的位置,他们的相对原子质量很接近,因此他们的SEM图像不容易区分判定;从图像还可以看出,2#合金在200℃温度下保温7 d仍没有达到平衡,加之液相在淬火瞬间凝固成Sb2Te3和SnSb2Te4两相时来不及扩散导致没有明显清晰的相界,这就很难确定形成相的具体形状。

3#合金样品由SbTe和SnSb2Te4两相组成。从图 1f可以观察到灰白色基体相为SnTe相,其相成分比为Sn:Sb:Te=45.14:2.17:52.69;浅灰色相成分比为Sn:Sb:Te=17.84:32.18:49.98,确定是SnSb2Te4相。从SEM图像看出3#合金由于退火时间不够长,SnSb2Te4相的相界模糊。

6#合金样品由相界分明的SnTe+Sb+δ-Sb2Te三相组成。结合图 1g能谱分析,确定灰色相为δ-Sb2Te相,相成分比为Sn:Sb:Te=45.14:2.17:52.69;深灰色相成分比为Sn:Sb:Te=3.22:95.39:1.39,确定为单质Sb相,黑色相成分比为Sn:Sb:Te=45.51:3.57:50.92,确定为SnTe相。由实验结果可知,Sb元素在SnTe相中的固溶度为3.57 at.%。

11#合金样品由SnTe和Sb两相组成。根据图 1i能谱分析,确定灰色基体相为Sb相,相成分比为Sn:Sb:Te=4.12:95.49:0.06;深灰色相为SnTe相,相成分比为Sn:Sb:Te=47.39:3.25:49.37。从图 1j中可以看出SnTe相都呈圆形或者椭圆形均匀分布在基体Sb相上,并且还有一些孔洞存在。这是由于原子Sn-Te之间的结合力大于原子Sn-Sb之间的结合力,优先形成SnTe相,多余的Sb相则形成单质。Sb单质比较脆,在打磨抛光的时候会有细小的颗粒跑掉,就会形成孔洞。

2.2 Sn-Sb-Te三元合金相图200℃等温截面

图 2可知,该Sn-Sb-Te三元合金相图200℃等温截面共有3个单相区,5个两相区和5个三相区。3个单相区分别为SnSb2Te4、δ-Sb2Te和SnTe;5个两相区分别是SnTe+Te、SnTe+SnSb2Te4、SnTe+Sb、SnTe+SnSb、SnTe+Sn;5个三相区分别为Sb2Te3+Te+SnSb2Te4、SbTe+SnSb2Te4+Sb2Te3、SnTe+δ-Sb2Te+Sb、SnTe+SnSb+Sb、SnTe+SnSb+Sn。图 2中有平衡合金支持确定的三相区用实线表示;根据相律及部分合金成分分析得到的三相区用虚线表示。各个成分点所对应的生成相如表 1所列,由表 1可以看出每个不同的成分对应三元相图中的某个点,根据这个成分即可知道相平衡关系。

图 2 Sn-Sb-Te三元系合金相图200℃等温截面 Fig.2 Isothermal section of Sn-Sb-Te ternary system at 200℃

表 1 Sn-Sb-Te三元合金相成分结果 Table 1 The results of Sn-Sb-Te alloys analysis

在本研究测定的Sn-Sb-Te三元合金200℃等温截面中出现了文献报道的SnSb2Te4三元相。但是并没有获得数量较大的SnSb2Te4三元相,主要原因是200℃温度下退火时间不够长,SnSb2Te4相没有得到充分的扩散长大,也没有清晰的相界。

3 结论

本研究利用合金法结合XRD、SEM以及DES方法测定了Sn-Sb-Te三元系200℃等温截面,确定了Sn-Sb-Te三元合金体系200℃的等温截面由3个单相区、5个两相区和5个三相区组成。其中,5个三相区分别是Sb2Te3+Te+SnSb2Te4、SbTe+SnSb2Te4+Sb2Te3、SnTe+δ-Sb2Te+Sb、SnTe+SnSb+Sb、SnTe+SnSb+Sn。在200℃时,Sb原子在SnTe相中的固溶度为3.57 at.%。

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